[发明专利]掩模板及掩模板使用方法在审
申请号: | 202110478312.3 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113189839A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 莫超德;张博 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李健 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了一种掩模板及掩模板使用方法。掩模板包括第一曝光区和第二曝光区,所述第二曝光区位于所述第一曝光区的任意侧;所述第一曝光区设置有用于形成第一功能膜层的第一预设图案,所述第二曝光区设置有用于形成第二功能膜层的第二预设图案,其中,所述第一曝光区与所述第二曝光区在不同时间段工作。通过在同一掩模板上设计不同功能膜层对应的曝光区,采用同一掩模板即可以完成不同功能膜层的图案化制作,可以解决现有的掩模板利用效率低、掩模板使用数量多、研发和生产成本高的问题。 | ||
搜索关键词: | 模板 使用方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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