[发明专利]体内击穿玻钝二极管及制造方法在审
| 申请号： | 202110483931.1 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206157A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘德军;龚昌明;袁正刚;李应明;洪杜桥;夏静 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/45;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/49;H01L21/336;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种体内击穿玻钝二极管及制造方法，该玻钝二极管包括管芯、电极引线，电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；管芯的正面中部为P+突变结，围绕P+突变结设有一圈P区缓变结，P+突变结的端面设有铝片，管芯的背面为N+区扩散。本发明在管芯P面的中心位置装上铝片，在装电极引线、管芯烧焊时，P面与铝片又合金形成P+突变结，P面周围的区域仍然是P区缓变结；N型硅片衬底的背面形成N+区，与电极引线形成良好的欧姆接触；在相同衬底N区电阻率下，P区的反向击穿电压高于P+的的反向击穿电压；从而实现了体内击穿，大大提高了二极管的成品率及使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 体内 击穿 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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