[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110493705.1 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113224079B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 朱九方;朱紫晶;张坤;胡明;鲍琨;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：栅叠层结构，包括交替堆叠的多个栅极导体层与多个层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构；以及导电通道，贯穿栅叠层结构，其中，导电通道包括：芯部和导电柱，导电柱位于芯部上方；第一导电层，覆盖芯部的侧壁与底部，并围绕导电柱的侧壁；以及第二导电层，位于芯部与导电部之间并覆盖导电柱的侧壁，其中，第二导电层由单一导电材料形成，并与第一导电层接触。该3D存储器件通过将覆盖导电柱的侧壁的第二导电层设置为由单一导电材料形成的导电层，解决了台阶覆盖性较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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