[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110500134.X | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN115312448A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，基底包括阵列区域及位于阵列区域外围的外围区域；于外围区域的基底内形成硅通孔，硅通孔的深度小于基底的厚度；于基底的上表面、硅通孔的侧壁及底部形成填充介质层；于硅通孔内形成导电层,导电层与填充介质层的上表面相平齐；于位于基底上表面的填充介质层内形成第一金属层，第一金属层的上表面与导电层的上表面相平齐；于填充介质层的上表面、第一金属层的上表面及导电层的上表面形成第一介质层；于第一介质层内同时形成第一互连结构及第二互连结构，第一互连结构的底部与第一金属层相接触，第二互连结构的底部与导电层相接触。上述方法能够简化工艺，提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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