[发明专利]一种氢气敏感元件及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110500478.0 申请日: 2021-05-08
公开(公告)号: CN113406147B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 张彦军 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 武汉华旭知识产权事务所 42214 代理人: 刘荣;周宗贵
地址: 030051*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种氢气敏感元件及制备方法,氢气敏感元件包括:玻璃基底、钯金合金纳米粒子、聚四氟乙烯薄膜和聚甲基丙烯酸甲酯薄膜;制备方法包括:将聚四氟乙烯涂覆至玻璃基底上;再将聚电解质二烯丙基溶液、聚苯乙烯圆盘颗粒悬浮液依次滴在聚四氟乙烯薄膜表面上并冲洗,在聚四氟乙烯薄膜的表面制备铬膜,将聚苯乙烯颗粒剥离产生孔洞,并刻蚀;在孔洞中沉积金和钯;去除聚四氟乙烯薄膜和铬膜;将玻璃基底进行退火处理,形成钯金合金;在玻璃基底在上依次涂抹聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯;本发明采用的钯金合金粒子对比于钯膜而言,减少了钯的使用量,来降低成本;聚四氟乙烯薄膜能够优化纳米颗粒比表面积、降低表面活化能、抑制迟滞现象,提高检测极限。
搜索关键词: 一种 氢气 敏感 元件 制备 方法
【主权项】:
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