[发明专利]用于图案化的方法以及存储器结构在审
| 申请号： | 202110501268.3 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113540101A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴彦柔;李智铭;廖耕颍;谢炳邦;叶书佑;林欣慧;王育良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11521;H01L27/11565;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开描述了一种用于存储单元中的条带区域的图案化工艺，用于移除多晶硅线之间的材料。图案化工艺包括：在插入第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层。图案化工艺还包括：执行第一蚀刻以从皮层移除第二硬掩模层和第二硬掩模层的一部分；执行第二蚀刻以从皮层移除第一硬掩模层；以及执行第三蚀刻以移除未被第一硬掩模层和第二硬掩模层覆盖的多晶硅层，以在第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间形成间隔。本发明的实施例还涉及用于图案化的方法以及存储器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图案 方法 以及 存储器 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
