[发明专利]半导体结构形成方法有效
| 申请号： | 202110503311.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN112992660B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 浦栋;惠利省;杨国文 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构形成方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在透明衬底的上表面形成第一负光刻胶层；对第一负光刻胶层进行曝光，在第一负光刻胶层的曝光区域形成正梯形结构；在第一负光刻胶层上方形成第二负光刻胶层，对其进行曝光，在第二负光刻胶层的曝光区域形成倒梯形结构；对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构堆叠而成的光阻隔离柱；在光阻隔离柱顶面形成保护层，沿倒梯形结构的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构的另一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；对透明衬底的上表面一侧进行电子束蒸镀金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于度亘激光技术（苏州）有限公司，未经度亘激光技术（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110503311.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多视图平台无关模型系统
- 下一篇：一种斜槽钢管滑动控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
