[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110504613.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113707720B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张旭凯;黄治融;董彦佃;朱家宏;梁顺鑫;沈泽民;林斌彦;王菘豊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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