[发明专利]SRAM存储单元电路在审
| 申请号： | 202110518201.0 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113113064A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 何卫锋;张灏;孙亚男;毛志刚 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/4094 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM存储单元电路，包括第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器构成一负反馈电路以降低漏电流。本发明的电路中第一PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管构成的第一反相器，相比于传统的反相器，第三PMOS管和第三NMOS管能够在确保反相功能的前提下将漏电路径置于深度截止的状态，从而将漏电流降低两到三个数量级。类似的，第二PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管和第四NMOS管构成的第二反相器，相比于传统反相器具有更低的静态功耗。第一反相器和第二反相器形成反馈结构，可以存储相反的数据，并显著降低整体存储单元的静态功耗。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
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