[发明专利]一种基于RAM的移位寄存器及其存储方法有效
| 申请号： | 202110528631.0 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113205851B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王作建;吴洋;贾红;陈维新;韦嶔;程显志 | 申请（专利权）人： | 西安智多晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 尹晓雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种基于RAM的移位寄存器，包括第一加法器、第二加法器、第一触发器以及双端口RAM，触发器的数据输入端口与第二加法器的输出端口相连，第一触发器的输出端口分别与第一加法器的地址输入端口、第二加法器的地址输入端口以及双端口RAM的写地址逻辑端口相连，第一加法器的输出端口与RAM的读地址逻辑端口相连，双端口RAM的输出端口D0输出数据，第一触发器的CLK端口以及双端口RAM的CLK端口输入时钟信号，第一触发器的使能端口以及双端口RAM的使能端口输入使能信号，第一加法器的地址输入端输入常量或者动态数据。相比于现有技术，本发明可以节约FPGA的逻辑资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ram 移位寄存器 及其 存储 方法 | ||
【主权项】：
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