[发明专利]晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法在审
| 申请号： | 202110530051.5 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN114628213A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈柏勲;周俊伟;廖耕颍;林子平;吴泰进;叶书佑;陈柏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 系统 气体 喷射 控制 温度 方法 | ||
【主权项】：
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