[发明专利]一种辉光放电质谱中高纯铟的制样方法有效
| 申请号： | 202110530105.8 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113237945B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;来兴艳 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/68 | 分类号： | G01N27/68;G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种辉光放电质谱中高纯铟的制样方法，所述制样方法包括：将高纯铟样品首先进行压片处理，得到高纯铟片；对所述高纯铟片进行刺孔处理，之后依次进行第一酸处理、第二酸处理、第三酸处理及漂洗，得到待测高纯铟样品。本发明提供的辉光放电质谱中高纯铟的制样方法，通过将高纯铟样品进行压片并刺孔，同时采用特定的三步酸处理过程，使得在辉光放电质谱中检测信号显著增强，检测信号稳定，多次检测中偏差显著减小，检测精度明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辉光 放电 质谱中 高纯 方法 | ||
【主权项】：
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