[发明专利]一种硅片缓冲传输机构在审
| 申请号： | 202110530632.9 | 申请日： | 2021-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410168A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 周旋 | 申请（专利权）人： | 精技电子（南通）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;F16L41/03;F16L41/16;F17D1/04;F17D1/065;F17D1/20;F17D3/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片缓冲传输机构，设置在全自动高速硅片上料机与水平刻蚀流水线之间，所述全自动高速硅片上料机的料篮中硅片沿箭头指向分成n条传输轨道，所述硅片缓冲传输机构包括：气源以及至少1组气动缓冲装置，所述气动缓冲装置包括：电动阀、主气道以及多个分气道，利用气流控制硅片下落和移动速度，使得硅片能够快速高效的进行下料，满足高速生产的需要；消除硅片在上料机下料叠片过程中相互碰撞，避免硅片由于摩擦而导致硅片的边缘产生破损，减少碎片率和潜在应力隐患，提高太阳能电池的成品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 缓冲 传输 机构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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