[发明专利]一种用于AMOLED的ELVDD结构有效
| 申请号： | 202110537263.6 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112968606B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 曹灿华 | 申请（专利权）人： | 上海南芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H02M1/14;H02M1/088 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 200120 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电源技术领域，具体的说是涉及一种用于AMOLED的ELVDD优化结构。本发明主要在传统结构的基础上，增加进入DownMode同步CLK电路和增加DownMode快速PWM控制结构。实现减小DC‑DC从BOOST模式切换到DownMode模式时所产生的纹波Ripple，明显优化了电流偏离负载电流的幅度，也即优化了输出电压Vout(ELVDD)的Ripple，从而很好的解决了手机可能出现闪屏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 amoled elvdd 结构 | ||
【主权项】：
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