[发明专利]3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法有效
| 申请号： | 202110544236.1 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113409858B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 李达;许锋;魏文喆;贾信磊;刘红涛;王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法，包括：提供述3D NAND存储器，3D NAND存储器包括：若干层堆叠的存储层和位于存储层上的伪存储层，若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层，与顶层存储层相邻的为底层伪存储层，每一层存储层中具有若干存储单元，每一层伪存储层中具有若干伪存储单元，最底层的存储层与半导体衬底之间具有下选择晶体管，最顶层的伪存储层上还具有上选择晶体管；在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时，将所述顶层存储层与所述底层伪存储层分别对应的控制栅施加相同的编程电压；在进行编程时，所述上选择晶体管打开，下选择晶体管关闭。本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 及其 抑制 顶层 存储 编程 方法 | ||
【主权项】：
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