[发明专利]能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局

摘要

一种能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局，以减少外围的电容单元与内部的电容单元之间的电容差异。该半导体电容阵列布局包含一第一导电结构与一第二导电结构。第一导电结构包含：多个纵向第一导电条位于一第一集成电路层；多个横向第一导电条位于一第二集成电路层，并与该些纵向第一导电条形成多个井形结构。该些井形结构包含在电性上相连的外侧井与内侧井。该第二导电结构包含多个第二导体位于该第一集成电路层且位于该些井形结构。该些第二导体包含在电性上不相连的外侧导体与内侧导体，其分别位于该些外侧井与该些内侧井。该些内侧导体中最靠近该外侧井者，与该些外侧井形成寄生电容。