[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器件，包括：衬底；堆叠结构，形成于衬底上并包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，该堆叠结构具有沿第一方向布置的存储阵列区和台阶区；至少一个栅线隙结构，至少沿第一方向延伸穿过台阶区，将堆叠结构分成多个分隔区域；以及槽结构，沿着第一方向布置，并贯穿位于台阶区的堆叠结构。根据本申请的三维存储器件，可减小由于虚拟沟道结构的图案带来的应力，提高支撑力，减少栅线隙扭曲和鼠啮的情况，改善三维存储器件的良率和可靠性。