[发明专利]一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法有效
| 申请号： | 202110551428.5 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN112978731B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;徐所成;罗昊;王亚哲;姚秋鹏;钟红生;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 司晓蕾 |
| 地址： | 311200 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 颗粒 反应 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
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