[发明专利]通信激光器半导体芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 202110559363.9 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113422289B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 游顺青;许海明 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及通信芯片半导体技术领域，提供了一种通信激光器半导体芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条得到Bar条，并进行处理；S2，处理完后在待镀Bar条的出光腔面依次镀三层高透过膜系，三层所述高透过膜系分别为第一Si膜、第一SiO膜以及第一SiO |
||
| 搜索关键词： | 通信 激光器 半导体 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北光安伦芯片有限公司，未经湖北光安伦芯片有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110559363.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
