[发明专利]一种金属掺杂的二硼化锆薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110560481.1 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113293353B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 孟瑜;弥娟莉;刘明霞;张秀萍;徐可为 申请(专利权)人: 西安文理学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 马贵香
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种金属掺杂二硼化锆薄膜及其制备方法,以金属靶和ZrB2复合靶作为靶材,通过磁控溅射方法在硅基底上沉积金属元素掺杂的ZrB2薄膜;所述金属元素为比Zr和B更容易被氧化的金属。本发明采用磁控共溅射技术在ZrB2薄膜中引入容易吸氧的金属元素,从而降低氧对ZrB2薄膜的影响,使Zr、B原子比例趋近化学计量比,避免生成ZrO2和B2O3,调整薄膜的结晶度,改变了薄膜的化学成分和微观结构,降低了薄膜中的O含量,降低了薄膜电阻,实现薄膜组分和微观组织结构的可控制备。
搜索关键词: 一种 金属 掺杂 二硼化锆 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安文理学院,未经西安文理学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110560481.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top