[发明专利]利用反馈回路提高电源抑制比的带隙基准电路在审
| 申请号： | 202110563674.2 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113342117A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈莹梅;彭俊杰;朱恩 | 申请（专利权）人： | 东南大学;网络通信与安全紫金山实验室 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用反馈回路提高电源抑制比的带隙基准电路，属于模拟集成电路技术领域。该带隙基准电路包括：两个NPN双极型晶体管Q1～Q2，六个电阻R0～R5和一个运算放大器。运算放大器采用差分输入结构，将运算放大器的输出用电阻进行分压，提供反馈电压至NPN双极型晶体管Q1和Q2的基极，同时该反馈电压作为该带隙基准电路的输出基准电压。电阻R0和电阻R1的阻值相等，通过调节NPN双极型晶体管Q2的并联数和电阻R3与R2的比值，可以改善基准电压的温度系数和精确度；通过增加运算放大器的增益，可以有效地提高输出基准电压的电源抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 反馈 回路 提高 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
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