[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110563739.3 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113937000A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 高桥裕也;田中俊介;桥本孝一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;杨敏 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高生产率的半导体装置的制造方法。在半导体晶片的背面粘贴第一带(背面带)，利用第二带覆盖半导体晶片的背面电极。在半导体晶片的外周部粘贴第二带(外周带)，利用第二带覆盖半导体晶片的端部。第一带和第二带是UV带。在40℃以上的温度对处于粘贴有第一带和第二带的状态的半导体晶片进行加热，半导体晶片与第一带和第二带之间的粘接力变大。在粘贴有第一带和第二带的状态下对半导体晶片进行镀覆处理，在半导体晶片的正面电极上形成镀层。依次剥离第二带、第一带。因为通过UV照射使粘接剂层硬化后剥离第一带和第二带，所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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