[发明专利]FinFET氧化栅制备方法和氧化栅结构在审
| 申请号： | 202110568338.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113571417A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 姚周 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET氧化栅制备方法，其特征在于，包括:按现有制程形成FinFET氧化栅形貌，IO区域氧化栅预清洁；形成第一厚度a的第一氧化层；形成第二厚度b的第二氧化层；形成第三厚度c的氮化层；形成第五厚度e的第三氧化层同时消耗部分所述氮化层使其厚度变为第四厚度d；预填充假栅极非晶硅。本发明在FinFET栅极介电层制作流程中引入氮化硅层，以减少传统栅氧制作过程中对鳍基底硅的消耗，保证了鳍线宽稳定的同时等效介电常数也有所增加，另外沉积氮化硅的方法为原子层沉积，保证了较好的阶梯覆盖性。形成的多层均匀的栅极介电层，可以提高FinFET IO区域器件电性稳定性和器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 氧化 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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