[发明专利]高可靠性的电容式RF MEMS开关有效

专利信息
申请号: 202110570777.1 申请日: 2021-05-25
公开(公告)号: CN113035650B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 向小健;杨德智;黄轩宇;白玉蝶;郑泉水 申请(专利权)人: 深圳清华大学研究院;清华大学
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 代理人: 满群
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种高可靠性的电容式RF MEMS开关,包括基底、设于基底内部的驱动部件、设于基底上的滑动部件以及设于基底内的传输部件,滑动部件由驱动部件驱动运动,传输部件包括输入部和输出部,滑动部件于输入侧和输出侧之间运动。本发明提供的高可靠性的电容式RF MEMS开关,将传统的悬臂梁式的电容开关改为面内滑动式,利用滑动部件与传输部件之间耦合电容的变化,实现射频信号的通断,避免了由粘附力、冲击损伤、表面效应等引起的粘附失效问题,能够实现较高的使用寿命。同时,水平驱动方式可实现驱动部件与传输部件的空间解耦,显著提高开关的隔离度和操作功率,且解决驱动部件电路对传输部件信号输出的串扰问题。
搜索关键词: 可靠性 电容 rf mems 开关
【主权项】:
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