[发明专利]工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法有效
| 申请号： | 202110574096.2 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113325914B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周杨润;余凯;李思臻 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 510090 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，包括分别计算MOS晶体管在无衬底偏置效应下和有衬底偏置效应下的阈值电压,将阈值电压在SS工艺角到FF工艺角的变化拟合为对应的线性方程；计算晶体管间产生的CTAT电压并将CTAT电压与由不同MOS晶体管的宽长比与热电压的乘积产生的PTAT电压相加得到一个与温度系数无关的电压；结合线性方程对得到的与温度系数无关的电压进行分析，实现对工艺偏差影响的消除。本发明提出一种工艺自补偿CMOS电压基准源及其设计方法，通过利用衬底偏置效应补偿工艺偏差技术，设计出不使用三极管的CMOS电压基准源，实现低电压低功耗工作。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 补偿 cmos 电压 基准 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
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