[发明专利]一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺在审
| 申请号： | 202110584920.2 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314409A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 丁桂红 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于芯片制造技术领域，尤其是一种手机VBAT端低压保护芯片制造工艺，针对现有的芯片制作漏电流大，高温反偏及抗浪涌能力弱问题，现提出如下方案，其包括以下工艺步骤：S1：扩散前处理；S2：氧化；S3：光刻；S4：P+硼扩散；S5：N+淀积；S6：对氧化片加工；S7：对硅片进行加工，所述S1中准备并采用N型单晶硅片，通过酸、SC3#配方清洗工序，对硅片表面进行化学处理。本发明使用干法加湿法共同生长的氧化层作为隔离层，降低PN结侧面漏电；选用专用合适的N型衬底新材料，使用平面氧化层工艺降低漏电流；根据产品需求选用特定电阻率N型抛光片，背面采用合适的吸杂降低漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 手机 vbat 低压 保护 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
