[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110586390.5 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451410A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 荷尔本·朵尔伯斯;马克斯·乔汉斯·亨利卡斯·凡·戴尔;乔滋尔斯·凡里恩提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L29/20;H01L29/207;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供半导体装置及其形成方法。根据本发明实施例，半导体装置包含铁电结构，其包含通道区、源极/漏极区、设置于铁电结构的通道区上方的栅极介电层、设置于栅极介电层上方的栅极电极、以及设置于铁电结构的源极/漏极区上的源极/漏极接触件。铁电结构包含氮化镓、氮化铟或氮化铟镓。铁电结构掺杂有掺质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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