[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 202110591152.3 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN115411113A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;赵坤;周天民;雷利平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/34;H01L27/12;H01L51/05;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒;朱晓琳 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管、阵列基板以及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底基板；依次层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一绝缘层和第二有源层；其中，第一有源层通过位于第一绝缘层中的第一过孔结构与第二有源层接触，第一有源层与第二有源层未接触的部分通过第一绝缘层间隔开，该薄膜晶体管具有多个有源层结构，使得电荷分别聚集在每个有源层的两个表面，从而使得聚集在有源层的表面的电荷的数量成倍地增加，进而使得薄膜晶体管的开态电流成倍地增加。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110591152.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
