[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110598012.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113921463A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一晶粒、一第一导电特征、一第二晶粒、一第一遮罩层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一晶粒中；该第二晶粒位在该第一晶粒上；该第一遮罩层位在该第二晶粒上；所述导电填充层位在沿着该第一遮罩层与该第二晶粒处，并延伸到第一晶粒，且接触该第一导电特征；所述绝缘层位在该导电填充层与该第一晶粒之间，以及位在该导电填充层与该第二晶粒之间；所述保护层位在该导电填充层与该第一遮罩层之间，并覆盖所述绝缘层的各上部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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