[发明专利]金属栅的制造方法在审
| 申请号： | 202110600329.1 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113394088A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 魏程昶;苏炳熏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供形成有多晶硅伪栅的半导体衬底，在多晶硅伪栅之间具有间隔区。步骤二、形成第一介质层将间隔区的底部区域填充。步骤三、形成第二介质层将间隔区的顶部区域填充，第二介质层采用具有压应力的材料并使多晶硅伪栅的顶部产生拉伸作用。步骤四、去除多晶硅伪栅形成栅极沟槽，在第二介质层的压应力作用下栅极沟槽的顶部关键尺寸增加。步骤五、在栅极沟槽中填充金属栅。本发明能对多晶硅伪栅的形貌进行自对准调整，能同时提高间隔区和栅极沟槽的填充工艺窗口，能同时避免在间隔区和栅极沟槽中产生孔洞，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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