[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110601485.X | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380897A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 荷尔本·朵尔伯斯;布兰丁·迪里耶;马可·范·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/34;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了晶体管、集成半导体器件及制造方法。该晶体管包括图案化的栅电极、位于图案化的栅电极上方的介电层和图案化的第一氧化物半导体层，该图案化的第一氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区的侧上的源极/漏极区。源极/漏极区的厚度大于沟道区的厚度。该晶体管还包括置于图案化的第一氧化物半导体层上并连接到图案化的第一氧化物半导体层的源极/漏极区的接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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