[发明专利]一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOS ESD保护器件结构有效
| 申请号： | 202110601665.8 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113345866B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 顾祥;贺琪;张庆东;谢儒彬;吴建伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于抗辐射SOI工艺的GGNMOSESD保护器件结构，属于半导体集成电路领域。本发明将N型源漏注入层次缩至有源区TO层里面，工艺上通过光刻来实现，这样的设计可以有效解决抗辐射加固注入工艺导致的保护器件击穿电压不稳定，抗ESD能力降低的问题；经TLP测试评价，加固工艺原始结构在0.5A以下，新型结构在2.5A以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 辐射 soi 工艺 ggnmos esd 保护 器件 结构 | ||
【主权项】：
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