[发明专利]一种用于半导体二极管制造过程中击穿电压检测装置在审
| 申请号： | 202110602287.5 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113327865A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 姚丹祥 | 申请（专利权）人： | 广州贝莱光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 王卓 |
| 地址： | 510665 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体分立器件制造技术领域，且公开了一种用于半导体二极管制造过程中击穿电压检测装置，包括转动装置，所述转动装置的右侧设置有测试装置，所述测试装置的右侧设置有推出装置。该用于半导体二极管制造过程中击穿电压检测装置，通过转动装置、测试装置和推出装置的配合使用，从而达到了将装置放在托盘上卡接好后，启动装置就能自动完成测试的操作，且能自动筛选掉不合格的半导体二极管，简化了操作难度，提高了检测的效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 二极管 制造 过程 击穿 电压 检测 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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