[发明专利]存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路及存储器件有效
| 申请号： | 202110602709.9 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113223602B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王小光 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 李娇 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器刷新补偿方法、装置、补偿电路以及存储器件，通过复用每个存储区域的ECC模块产生的报错信号，分别对每个存储区域中的数据存储错误进行统计；分别检测每个存储区域的累计错误数量是否达到预设阈值，将累计错误数量达到预设阈值的存储区域确定为目标存储区域；将目标存储区域的同步刷新行数从默认行数调整为设定行数，同时启动对刷新指令的计数，并将目标存储区域对应的当前错误统计数量清零；直至刷新指令的累计数量达到目标值，再将目标存储区域的同步刷新行数恢复到默认行数，这样能够针对存在数据失效风险的存储区域进行刷新补偿，有利于改善DRAM存储阵列的retention问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 刷新 补偿 方法 装置 电路 存储 器件 | ||
【主权项】：
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