[发明专利]一种MEMS滤波器制作方法有效
| 申请号： | 202110603324.4 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113321180B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周华芳 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS滤波器制作方法，属于MEMS滤波器制作技术领域，方法包括：在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域。本发明采用双面结构工艺能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 滤波器 制作方法 | ||
【主权项】：
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