[发明专利]半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法在审
| 申请号： | 202110604364.0 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380899A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括：第一介电层；栅电极，嵌入在第一介电层内；层堆叠件，包括栅极介电层；沟道层，包括半导体金属氧化物材料；以及第二介电层；以及源电极和漏电极，嵌入在第二介电层中并且接触沟道层的顶面的相应部分。栅电极、栅极介电层、沟道层、源电极和漏电极的组合形成晶体管。沟道层的位于栅电极上面的底面的外围的总长度等于栅电极的宽度或是栅电极的宽度的两倍，并且栅电极材料在沟道层侧壁上的再溅射最小化。本申请的实施例还涉及半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 晶体管 形成 器件 方法 | ||
【主权项】：
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