[发明专利]注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法有效
| 申请号： | 202110606788.0 | 申请日： | 2021-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN113308738B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;卜爱民;付莉杰;邵会民;刘峥;徐森锋;史艳磊;李晓岚;王阳;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥;高宁宁 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 合成 连续 lec vgf 结合 制备 化合物 半导体 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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