[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110611314.5 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113363363B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山;李燕 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光二极管，其包括半导体发光叠层，具有第一表面；透明导电层、第一绝缘层和金属反射层在第一表面上方依次层叠；还包括第一绝缘层，第一绝缘层在透明导电层上具有相对的上表面和下表面，所述第一绝缘层的上表面分为上表面一、上表面二以及连接上表面一和上表面二的斜上表面；所述的斜上表面相对于所述上表面一倾斜角大于等于120°；所述上表面一相对于上表面二具有高低差，使上表面一与下表面之间的第一绝缘层的厚度小于上表面二与下表面之间的第一绝缘层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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