[发明专利]量子点发光二极管器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110612647.X 申请日: 2021-06-02
公开(公告)号: CN115440899A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 丘洁龙 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刘泳麟
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种量子点发光二极管器件及其制备方法。量子点发光二极管器件包括阴极、阳极以及设在阴极和阳极之间的叠层,叠层包括量子点发光层、电子传输层以及设在量子点发光层和电子传输层之间的包含卤化银的膜层,量子点发光层靠近阳极设置,电子传输层靠近阴极设置。本申请可以抑制电子传输层形成光生空穴,减缓性能衰减速率,还可以减缓电子注入速率,改善电子、空穴注入不平衡状态。
搜索关键词: 量子 发光二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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