[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202110613024.4 | 申请日： | 2021-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764517A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/24;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/44;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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