[发明专利]忆阻器-CMOS逻辑模块及因式分解超前进位加法器在审
| 申请号： | 202110623768.4 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113314176A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄丽莲;朱耿雷;李文亚;史旭;刘帅 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06F7/503 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于加法器技术领域，具体涉及一种忆阻器‑CMOS逻辑模块及基于忆阻器‑CMOS逻辑模块的因式分解超前进位加法器。本发明提供的基于忆阻器‑CMOS逻辑模块的因式分解超前进位加法器包括三部分，第一部分产生进位传播和进位生成函数，第二部分完成进位的因式分解，第三部分完成进位和求和；所述的第一部分包括四组忆阻器‑CMOS逻辑模块；所述的第二部分包括二十组忆阻器；所述的第三部分包括四组忆阻器‑CMOS逻辑模块和十四组忆阻器。本发明利用因式分解将逻辑分解，后将逻辑物理融合在一起，减少了器件使用数量和功耗，实现更高速的加法运算。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 cmos 逻辑 模块 因式分解 超前 进位 加法器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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