[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110624332.7 | 申请日： | 2021-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113506787A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 庄劭萱;张皇贤 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/528;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供的半导体结构及其制造方法，在通过粘合层(Adhesion film)结合重布线层(Fan‑Out)与基板(Substrate)后，通过预先设置的第一模具对重布线层与粘合层进行挤压制程，并脱模形成贯穿布线层与粘合层的开孔(导通的预定位置)以露出基板的焊垫(Pad)，再填充导电材料以形成导通孔(Via)以电性连接重布线层与基板，相对于激光钻孔制程，可以实现更小目标尺寸孔径的开孔，而相对于蚀刻开孔工艺，可以提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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