[发明专利]红黄光发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110631577.2 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113594316A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;朱志佳;王瑞瑞;朱迪 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。该红黄光发光二极管芯片中n型层、多量子阱层、p型层和第一透明导电层依次层叠设置在衬底上，第一透明导电层的边缘具有露出n型层的凹槽，n型电极位于n型层表面，且位于凹槽的底部；钝化层覆盖在第一透明导电层和凹槽的表面，钝化层位于第一透明导电层上的区域设有开口；第二透明导电层层叠于钝化层和第一透明导电层上，且部分位于凹槽中，第二透明导电层通过开口与第一透明导电层电连接，p型电极设置在第二透明导电层上，且p型电极位于凹槽内。本公开实施例能够缩减p型层中载流子的流动路径，提高红黄光发光二极管芯片的注入效率，且改善发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 红黄光 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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