[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110633941.9 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113380928A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 安相贞 | 申请（专利权）人： | 安相贞 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置的制造方法，半导体元件用支承基板的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备第一基板，该第一基板具备第一面及与第一面相对的第二面；在第一基板形成从第一面侧朝向第二面侧的槽；在槽形成导电部；在第一面侧，将第二基板结合到第一基板；及在第二面侧以与导电部导通的方式形成第一导电焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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