[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备在审
| 申请号： | 202110634337.8 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113380893A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区；绕有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠，其中有源区包括与栅堆叠相对的沟道区以及分别在沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区，其中，栅堆叠包括栅介质层、功函数调节层以及栅电极材料层，功函数调节层介于栅电极材料层与沟道区之间；以及第一低k介质层，从功函数调节层的第一端延伸以围绕栅电极材料层靠近沟道区一侧的端部的第一拐角。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110634337.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种地埋式电缆分支箱
- 下一篇：高铁网络邻区设置方法、装置、设备及存储介质
- 同类专利
- 专利分类
