[发明专利]一种强微腔器件叠层阳极的制备方法有效
| 申请号： | 202110636299.X | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113380967B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曹贺;刘晓佳;吕迅;刘胜芳;赵铮涛;潘倩倩 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/60 | 分类号： | H10K71/60;H10K50/816 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 马荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于强微腔器件技术领域的强微腔器件叠层阳极的制备方法，所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:S1.金属反射层及B阳极成膜；S2.B‑HM制备；B‑HM制备时，对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A；S3.G‑阳极制备；S4.G‑HM制备；S5.R‑阳极制备；S6.HM去除,完成叠层阳极制备。本发明所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法，通过改变制备工艺，通过错位光刻，减少光刻次数，在确保较少的光刻次数条件下，在制备过程中，对每个子像素阳极均进行了保护，确保阳极制程的良率，通过硬掩膜保护，避免在制备过程中对像素阳极的损伤，从而完成对叠层阳极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强微腔 器件 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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