[发明专利]SGT结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110641275.3 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113506822A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 康志潇;蔡晨;李亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路领域，具体涉及SGT结构及其制造方法。其中方法包括：提供带有沟槽的器件基底层；在沟槽的表面形成第一氧化层，使得第一氧化层表面形貌形成第一填充空间；使得第一填充空间中填充第一多晶硅；回刻蚀第一多晶硅，保留位于第一填充空间下部的第一多晶硅；刻蚀去除位于沟槽上部的第一氧化层，使得回刻蚀后的第一多晶硅上端从剩余第一氧化层的上表面伸出；进行氧化工艺，使得外露沟槽中的结构表面，和回刻蚀剩余第一多晶硅的侧表面被氧化形成第二氧化层；第一多晶硅的侧表面被氧化程度由上至下逐渐减弱，位于沟槽中的第二氧化层表面形貌形成栅多晶硅容置空间；使得栅多晶硅容置空间中填充第二多晶硅，形成栅多晶硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | sgt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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