[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置有效
| 申请号： | 202110643648.0 | 申请日： | 2021-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN113363373B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;卢超;曾江斌;何安和;洪灵愿;林素慧;黄敏;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件和发光装置，其中所述的半导体发光元件包括：半导体层和焊盘；半导体层包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层；焊盘，包括第一焊盘、第二焊盘，位于半导体层上，第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接；焊盘包括含锡银层，含锡银层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相对第二表面更靠近半导体层，自第一表面开始计算或者自第二表面开始计算，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值，所述的D1厚度为大于0微米。通过在含锡银层第一表面或者第二表面附近设置一层高银含量的含锡银层，减少锡与其它金属扩散形成的空洞，增强结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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