[发明专利]一种晶圆减薄方法有效
| 申请号： | 202110645550.9 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113380614B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张韶轩;温虎;郭靖 | 申请（专利权）人： | 东莞安晟半导体技术有限公司;东莞铭普光磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 王庆海;刘军锋 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆处理技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法，取一衬底进行预处理；在待处理的晶圆表面覆上胶体层，测量胶体层的厚度，控制胶体层的厚度在预定范围内；将晶圆粘接在衬底上并对晶圆进行减薄处理，待减薄处理完成后使晶圆和衬底进行分离。以此先将晶圆粘接在衬底上再对晶圆进行减薄处理，使得衬底在减薄处理过程中能为晶圆提供支撑，可以有效降低减薄时晶圆碎裂的风险，提高晶圆的生产质量，有利于提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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