[发明专利]双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法在审
| 申请号： | 202110646940.8 | 申请日： | 2021-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN113376484A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周轶靓;贺贤汉;王斌;葛荘;顾鑫;吴承侃 | 申请（专利权）人： | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域。双面覆铜陶瓷基板的局部放电测试方法，包括如下步骤：步骤一，在盒体内注入绝缘油；盒体内固定有底座，底座包括电极底座、下弹性层以及下金属片，下金属片设有下延伸条，下延伸条与电极底座接触连接，盒体的底部安装有金属触头，金属触头与电极底座接触电连接；金属触头与局部放电测试仪的负极端子电相连；步骤二，将双面覆铜陶瓷基板放置在底座上；步骤三，将盖板放置在双面覆铜陶瓷基板上；盖板包括从上至下设置的探针盖板、上弹性层以及上金属片，上金属片设有上延伸条，上延伸条与探针盖板接触连接；步骤四，局部放电测试仪的正极探针以及负极端子之间施加电压进行测试。简单易行、无损检测，普适性强。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 陶瓷 局部 放电 测试 方法 | ||
【主权项】：
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